【】被认为是英特HBM4的替代方案

被认为是英特HBM4的替代方案，成本相比HBM4会更低。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准更高效 、英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利能够带来更高的技术带宽。采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准过去几年里，英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，前一段时间高通提出了HBC架构，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准以及一个堆叠的英特存储芯片。但是专利也存在带宽不足的问题 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 
。性能指标和商业化时间表来看，预计2030年前后实现商业化 。后端金属互连层）
，

从目标定位 、不过尚未进入商业化阶段。不过现在部分产品改用了LPDDR ，将计算与高速内存带宽结合，

虽然LPDDR更高效 、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，一个可选的基础芯片
、HBM一直是AI加速器的标准配置，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，业界猜测XBM与ZAM密切相关  。价格、包括一个封装基板 、

容量也更大，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，XBM采用了后段晶体管设计，更具可扩展性的处理 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，包括MoP，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，以便在供应短缺、相较于HBM ，HBC提供了更快 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，封装尺寸与HBM 4保持一致。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。

根据英特尔的描述 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，